RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
61
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2673
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link