RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
61
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3195
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link