RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
61
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3020
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link