RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
61
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3048
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link