RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
61
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3359
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link