RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
61
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2947
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link