RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
24.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
24.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
19.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
4174
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link