RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
61
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2829
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link