RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
874.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
81
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,885.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
874.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
277
3083
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link