RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
54
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2776
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link