RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
68
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,636.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
2296
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M379B5273DH0-YK0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link