RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
68
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,636.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
2765
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link