RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
68
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
3430
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link