RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
3085
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link