RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Wynik ogólny
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,569.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
6400
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,316.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,569.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
12800
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
472
2602
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link