RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2900
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link