RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2795
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link