RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
64
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
61
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2025
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link