RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2780
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link