RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
64
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3034
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link