RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
64
Wokół strony -191% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3929
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link