RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2935
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link