RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2545
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1869DT1TX0. 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link