RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2544
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link