RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
64
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2034
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link