RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD AE34G1601U2K 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs AMD AE34G1601U2K 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
AMD AE34G1601U2K 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
70
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
4.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD AE34G1601U2K 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD AE34G1601U2K 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
70
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
6.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1219
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
AMD AE34G1601U2K 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD AE34G1601U2K 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link