RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3650
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link