RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3477
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link