RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2915
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link