RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
69
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
69
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1831
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link