RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3116
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link