RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3800
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link