RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3773
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link