RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3422
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link