RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3849
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link