RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
85
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
85
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1118
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link