RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3233
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link