RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2800
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link