RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2711
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link