RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2763
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link