RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1984
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link