RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
86
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
86
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1658
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link