RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2461
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link