RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
54
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
54
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2511
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link