RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2079
2923
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link