RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
42
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3402
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link