RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3987
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link