RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3355
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link