RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
49
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
49
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2302
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link