RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3326
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link